• 
• 

Фотографии реальные, сделаны на месте!

2MBI100VA-120-50

номер модели：

2MBI100VA-120-50

название бренда：

FUJI

добрый：

IGBT МОДУЛЬ

Описание товара：

1,2 kW ; 100 A ; 1.75 B

свяжитесь сейчас

Фотографии реальные, сделаны на месте!

2MBI100VA-120-50

номер модели：

2MBI100VA-120-50

название бренда：

FUJI

добрый：

IGBT МОДУЛЬ

Описание товара：

1,2 kW ; 100 A ; 1.75 B

свяжитесь сейчас

2MBI100VA-120-50

IGBT МОДУЛЬ, 1.2KV, 100A; Полярность транзистора: N-канал; Постоянный ток коллектора: 100A; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce(on): 1.75В;

Рассеиваемая мощность Pd: 555Вт; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 1.2 кВ; Стиль корпуса транзистора: Модуль; Количество выводов: 7 контактов;

Рабочая температура макс: 150°C; Диапазон продуктов: -; Ток Ic @ Vce Sat: 100A; Ток Ic Continuous a макс: 150A; Температура тока: 25°C; Внешняя глубина: 62 мм; Внешняя длина / высота:

30 мм; Внешняя ширина: 108 мм; Время спада tf: 450ns; Температура полной мощности: 25°C; Напряжение изоляции: 2.5kV; Температура спая Tj Max: 150°C; Конфигурация модуля: Двойной;

Количество транзисторов: 2; Максимальная рассеиваемая мощность: 780 Вт; Импульсный ток Icm: 300 А; Время нарастания: 350 нс; Тип зажима: Винт; Напряжение Vces: 1.2 кВ