• 
• 

Фотографии реальные, сделаны на месте!

2MB200U4B-120

номер модели：

2MB200U4B-120

название бренда：

FUJI

добрый：

Двойной IGBT модуль

Описание товара：

200A 1200V 22036

свяжитесь сейчас

Фотографии реальные, сделаны на месте!

2MB200U4B-120

номер модели：

2MB200U4B-120

название бренда：

FUJI

добрый：

Двойной IGBT модуль

Описание товара：

200A 1200V 22036

свяжитесь сейчас

2MB200U4B-120

DUAL IGBT MODULE 200A 1200V TRENCH; Конфигурация модуля:1 пара последовательное соединение; Полярность транзистора:N канал; Постоянный ток коллектора:300A;

Напряжение коллектор-эмиттер Vces:2.25V; Рассеиваемая мощность макс:1.04kW; Коллектор-эмиттер ;RoHS Compliant: Да

Newark

IGBT, DUAL, MODULE, 200A, 1200V; Полярность транзистора:N канал; Постоянный ток коллектора:300A; Напряжение коллектор-эмиттер Vces:2.25V; Рассеиваемая мощность Pd:1.04kW;

Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo:1.2kV; Тип корпуса транзистора:Модуль; Количество выводов:7; Ток I выводов:7; Ток Ic @ Vce Sat:200A; Ток Ic Continuous a Max:300A;

Температура тока:25°C; Внешняя глубина:45мм; Внешняя длина / высота:30мм; Внешняя ширина:92мм; Время спада tf:410нс; Номинальная температура полной мощности:25°C; Напряжение изоляции:2. 5kV;

Температура спая Tj Max:150°C; Конфигурация модуля:Двойной; Количество транзисторов:2; Упаковка / корпус:M233; Рассеиваемая мощность Max:1.04kW; Рассеиваемая мощность Pd:1.04kW;

Рассеиваемая мощность Pd:1.04kW; Импульсный ток Icm:600A; Время нарастания:320ns; Тип зажима:Винт; Напряжение Vces:1.2kV