• 
• 

Фотографии реальные, сделаны на месте!

2MBI150U2A-060-50

номер модели：

2MBI150U2A-060-50

название бренда：

FUJI

добрый：

IGBT модуль

Описание товара：

150A 600V 480ns

свяжитесь сейчас

Фотографии реальные, сделаны на месте!

2MBI150U2A-060-50

номер модели：

2MBI150U2A-060-50

название бренда：

FUJI

добрый：

IGBT модуль

Описание товара：

150A 600V 480ns

свяжитесь сейчас

2MBI150U2A-060-50

2MBI150TA-060 2MBI150U2A-060-50 2MBI150UA-060-50 2MBI150TA-060-50 2MBI150VA-060-50 2MBI150TA-060 2MBI100TA-060-52

IGBT,  150A, 600V, NPT; Полярность транзистора: N-канал; Постоянный ток коллектора: 150A; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce(on):

2.35V; Рассеиваемая мощность Pd: 500Вт; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 600 В; Стиль корпуса транзистора: Модуль; Количество выводов: 7 выводов;

Рабочая температура макс: 150°C; Диапазон продуктов: -; Ток Ic @ Vce Sat: 150A; Ток Ic Continuous a макс: 150A; Температура тока: 25°C; Внешняя глубина: 34 мм;

Внешняя длина / высота: 30 мм; Внешняя ширина: 92 мм; Время спада tf: 480ns; Температура полной мощности: 25°C; Напряжение изоляции: 2.5kV;

Температура спая Tj Max: 150°C; Конфигурация модуля: Двойной; Количество транзисторов: 2; Рассеиваемая мощность макс: 500Вт; Импульсный ток Icm: 300A;

Время нарастания: 400нс; Тип зажима: Винт; Напряжение Vces: 600V